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A Product Line of
Diodes Incorporated
ZXMC3AMC
Thermal Characteristics
10
1
R DS(ON)
Limited
DC
1s
10
1
R DS(ON)
Limited
DC 1s
100m
100ms
8 sq cm 2oz Cu
One active die
10ms
1ms
100us
100m
100ms
8 sq cm 2oz Cu
One active die
10ms
1ms
100us
10m
Single Pulse, T amb =25°C
10m
Single Pulse, T amb =25°C
1
10
1
10
V DS Drain-Source Voltage (V)
N-channel Safe Operating Area
90
-V DS Drain-Source Voltage (V)
P-channel Safe Operating Area
2.0
80
60
8 sq cm 2oz Cu
One active die
1.5
10 sq cm 1oz Cu
Two active die
8 sq cm 2oz Cu
One active die
40
D=0.5
1.0
10 sq cm 1oz Cu
One active die
20
0
D=0.2
Single Pulse
D=0.05
D=0.1
0.5
0.0
100μ
1m
10m 100m
1
10
100
1k
0
25
50
75
100
125
150
Pulse Width (s)
Transient Thermal Impedance
3.5
225
Temperature (°C)
Derating Curve
3.0
2.5
T amb =25°C
T j max =150°C
Continuous
2oz Cu
Two active die
200
175
150
1oz Cu
One active die
1oz Cu
Two active die
2.0
1.5
2oz Cu
One active die
125
100
1.0
1oz Cu
75
50
2oz Cu
One active die
0.5
1oz Cu
One active die
Two active die
25
2oz Cu
Two active die
0.0
0
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
Board Cu Area (sqcm)
Power Dissipation v Board Area
Board Cu Area (sqcm)
Thermal Resistance v Board Area
ZXMC3AMC
Document number: DS35088 Rev. 1 - 2
3 of 11
www.diodes.com
December 2010
? Diodes Incorporated
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